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12bet认准!海宁粉末冶金平面研磨定制_单面研磨

发布时间:2020-10-15 06:14

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  1.一种锗单晶片的单面研磨方法,其特征在于:依次进行粘蜡、减薄、解离、去蜡工艺,其具体步骤如下: 步骤1.粘蜡,对锗单晶研磨片(3)和载片(4)分别测厚,将锗单晶研磨片(3)的背面与载片(4)粘蜡后并粘合在一起,得到双层结构的复合片(5); 步骤2.研磨,将复合片(5)置于研磨机的游星(6)放料槽内,利用研磨机游星将复合片(5)置于研磨机的上磨盘(I)和下磨盘(2)之间,加入研磨料,对复合片(5)进行四种加压研磨, 轻压研磨:时间为20?40s、压力为30?50kg、转速为2?6RPM、研磨液流量为600?800mT ,/min, 中压研磨:时间为20?40s、压力为30?50kg、转速为4?7RPM、研磨液流量为600?800mT ,/min, 修磨:时间为20?40s、压力为40?60kg、转速为7?10RPM、研磨液流量为600?800mT ,/min, 重压研磨时间为180?200s、压力为50?70kg、转速为10?14RPM、12bet研磨液流量为600 ?800mT,/mi η ; 步骤3.解离,对复合片(5)测厚计为W1,对直径较大的载片(4)于锗单晶研磨片(3)边缘外测厚计为W2,则研磨后的锗单晶研磨片(3)的厚度SW1-W2,通过加热的方法使得蜡层软化,实现复合片(5)解离; 步骤4.去蜡,将解离出的锗单晶研磨片(3)在配比为蜡水与去离子水的体积比1:20?30的去蜡水中、温度40?50°C、时间5min超声去蜡,甩干后即得所需厚度的锗单曰曰斤°2.如权利要求1所述的一种锗单晶片的单面研磨方法,其特征在于:载片(4)的莫氏强度大于锗单晶片(3)的莫氏强度,载片(4)的直径大于锗单晶研磨片(3)的直径。双面研磨价格。

  [0022]本实用新型中,采用凸离合器11承接研磨电机10和第二传动机构,通过凸的楔入而锁住内外圈,在一个旋转方向上传递扭矩,并在相反方向上做超越运动,只要下研磨盘I的摩擦作用小于研磨电机1的驱动力,则上研磨盘9会始终以研磨电机1的驱动力来做自转运动,有效消除了下研磨盘I对上研磨盘9的影响,完全解决了上研磨盘9自转不一致的问题,从而确保了加工精度,提高了生产效率。

  6、 经过一个时刻继电器和一个研磨计数器,可按加工要求设置和操控研磨时刻和研磨圈数。作业时可调整压力形式,到达研磨设定的时刻或圈速时就会主动停机报警提示,完结半主动化操作。经过添加厚度光栅尺构成闭环操控,到达设定的厚度会主动停机,完结在线、注入固着磨料,成功处理了上磨盘磨料供给不足,研磨盘上磨料分布不均匀的工艺问题,研磨本钱大幅度下降。双面研磨抛光加工。

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